产品别名 |
TDK/EPCOS突波吸收电容 |
面向地区 |
外形 |
方块状 |
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应用范围 |
滤波 |
薄膜电容 超级电容 电池。
正好是三级供能系统。
能量密度从小到大。薄膜差,电池好。
寿命从大到小。在数年的使用时间内,薄膜的充放电循环次数接近无限;超级电容可以有几百万次。电池就只有顶多几千次了
瞬时输出功率从大到小。薄膜电容好,电池差。
吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器,可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管(IGBT),消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压,避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术,使电容具低感抗,多条引线设计,可承受更高纹波电流,高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收,各类高频谐振线路。
电容结构: 双层金属化膜,内部串联结构。
封装: 阻燃塑胶外壳,环氧树脂封装,符合(UL94V-0 )标准.
尺寸: 适合于各种IGBT保护。
原理有开关过程中的漏电流、晶体管开关过程中的反向恢复时间等。
1、开关过程中的漏电流:在IGBT模块工作时,如果开关速度足够快,会产生大量瞬态漏电流,并在导通状态下引入大量电荷,这些电荷需要被重新收集或放散,从而形成了吸收电容效应。
2、晶体管开关过程中的反向恢复时间:IGBT模块的晶体管由PN结组成,在开关过程中,当晶体管从导通状态转变为截止状态时,PN结产生额外的电荷和电场效应,这会导致反向恢复时间延长,产生额外的吸收电容。