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ONSEMI/安森美集成电路 |
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NCV7356D1R2G/NCV7356D2R2G简述：
NCV7356 是一款用于单线数据链路的物理层器件，能够使用多种具碰撞分解的载波感测多重存取 (CSMA/CR) 协议运行，如博世控制器区域网络 (CAN) 2.0 版。此串行数据链路网络适用于不需要高速数据的应用，低速数据可在物理介质部件和微处理器和/或使用该网络的逻辑器件中实现成本降低。该网络应该能够以正常数据速率模式或高速数据下载模式运行，适用于组装生产线和服务数据传输运行。高速模式仅在总线连接板外服务节点时运行。此节点应提供实现更高速运行的临时总线电子负载。此类临时负载在不执行下载运行时应消除。正常通信的典型比特率为 33 kbit/s，对于上述高速传输，推荐的典型比特率为 83 kbit/s。NCV7356 是根据单线 CAN 物理层规范 GMW3089 V2.3 设计的，支持很多附加功能，如欠压锁定、故障阻断输入信号超时、总线振铃时的输出间隔时间，以及极低睡眠模式电流。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
LC898128DP1XGTBG
LC898220A-TE-B-H
LM2575D2T-3.3R4G
LM2576D2T-ADJR4G
LV8130V-TLM-H-ON
M74HCT4852ADTR2G
MC74LVX4245DTR2G
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。
NCP1399ACDR2G
NCP1399是一款用于半桥谐振转换器的电流模式控制器。这款控制器实施了600V栅极驱动器，简化了布局，减少了所需的外部组件数量。内置的欠电压输入功能简化了控制器在所有应用中的实现。在需要PFC前级的应用中，NCP1399具有一个输出来驱动PFC控制器。这个功能结合的Skip模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、防止硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动死区时间调节、过电压（OVP）和过温（OTP）保护。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
MC74LVXT8051DR2G
NB7NPQ1002MMTTWG
NCP1253BSN100T1G
NCP3335AMN280R2G
NCP380LSNAJAAT1G
NCP45520IMNTWG-L
NCP716BCSN330T1G
NCP716BCSN500T1G
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NCV8405ASTT1G简述：
NCV8405是一款三端子保护的低侧智能分立器件。保护功能包括过流、过热、ESD 和用于过压保护的集成漏极至栅极箝位。该器件适用于恶劣的汽车环境。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NTMFS0D9N03CGT1G
NTMFS1D7N03CGT1G
NTTFD4D0N04HLTWG
NTTFS002N04CLTAG
NTTFS3D7N06HLTWG
NVATS5A113PLZT4G
NVMFD5483NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT1G
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MOC3041SR2M概述：
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成，该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅，用于由 115VAC 线路供电的设备，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FSTUD32450GX_NL
HGTP7N60A4-F102
HUF75545S3ST_NL
LM2574DW-ADJR2G
LV4159T-J-TBM-E
LV4159T-J-TBM-E
MC100LVEL11DTR2
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UC3843BVD1R2G简述：
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCP718BMT330TBG
NCV1060BD060R2G
NCV4275ADS50R4G
NCV4276BDT33RKG
NCV4276CDT33RKG
NCV47821PAAJR2G
NCV51460SN33T1G
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FDC6330L适用于需要 3V 至 20V 输入和 2.3A 输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。该负载开关集成了一个小型 N 沟道功率 MOSFET （Q1），该 MOSFET 在一个微型 SuperSOT-2™ 封装中驱动一个大型 P 沟道功率 MOSFET （Q6）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NRTS30100MFST3G
NRVBB30H60CTT4G
NRVTS3060MFST3G
NTLJS5D0N03CTAG
NTMFD020N06CT1G
NTMFS4C822NAT1G
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