电子电器全参数检测专项实验室-广电计量实验室

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随着新能源汽车半导体功率电子国产化的发展，广电计量引进国际的测试技术，基于LV/AQG324认证标准，为功率半导体产业上下游企业提供功率模块电学性能检测，材料、器件与系统的可靠性测试以及失效分析。技术带来了验证技术新的挑战，广电计量以LV/AQG324认证试验为基础，积极布局第三代半导体功率模块的可靠性业务领域，助力器件国产化、高新化发展。
静态参数：
Drain to Source Breakdown Voltage，Drain Leakage Current，Gate Leakage Current，Gate Threshold Voltage，Drain to Source On Resistance，Drain to Source On Voltage，Body Diode Forward Voltage，Internal Gate Resistance，Input capacitance，Output capacitance，Reverse transfer capacitance，Transconductance，Gate to Source Plateau Voltage

动态参数：
Turn-on delay time，Rise time，Turn-off delay time，Fall time，Turn-on energy，Turn-off energy，Diode reverse recovery time，Diode reverse recovery charge，Diode peak reverse recovery current，Diode peak rate of fall of reverse recovery current，Total gate charge，Gate-Emitter charge，Gate-Collector charge

其他参数：
thermal resistance，Unclamped Inductive Switching，Reverse biased safe operating area，Short circuit safe operation area

产品范围：
适用于MOSFET，Diode，IGBT，第三代半导体器件等元件构成的功率模块。

测试项目：
TST，V，MS，PCsec，PCmin，HTS，LTS，HTRB，HTGB，H3TRB，Lp，Rth，

测试标准：
IEC 60749-25，DIN EN 60068-2-6，DIN EN 60068-2-27，IEC 60749-34，IEC 60749-34，IEC 60749-6，JEDEC JESD-22 A119，IEC 60747-9，IEC 60747-9，IEC 60749-5，IEC 60747-15，DIN EN 60747-15

广州广电计量检测股份有限公司(股票简称:广电计量,股票代码:002967)始建于1964年,是原信息产业部电子602计量站,经过50余年的发展,现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构,专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等技术服务,在计量校准、可靠性与环境试验、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内水平.